眼下全球 DRAM 市场长期被海外三家巨头牢牢把控，三星、SK 海力士、美光瓜分九成以上市场份额，留给国产厂商的追赶空间原本十分有限。
但近两年长鑫存储扩产节奏持续提速，加之前三位下注HBM放弃DRAM市场，市场份额稳步抬升，行业机构给出的最新判断是，如今它已经稳稳坐住全球第四大 DRAM 制造商的位置，距离第三名美光的产能差距正在快速缩小，按照当前扩产规划推进，到 2026 年末整体产能规模有望实现反超，跻身行业前三阵营。
长鑫份额快速上涨，一方面依托国内庞大的消费电子、服务器、工控设备内需市场消化产能，另一方面 DDR5、LPDDR5 新一代产品批量落地，进一步打开出货增量。
反观排在第三的美光，虽然在美国本土持续加码建厂扩充 DDR4 产能，但新增产能释放周期偏慢，叠加企业资源更多倾斜利润更高的高端 HBM 产品线，通用 DRAM 扩产力度有限，这也给长鑫创造了缩小差距的窗口期。
有意思的是，存储芯片持续涨价的行业行情，还催生了一则颇具反差感的行业消息。
近期苹果上调 MacBook、iPad 全线产品售价，核心原因就是 DRAM 采购成本居高不下，单一内存物料成本占比大幅攀升，仅依靠三星、美光、海力士三家供货，完全没有议价主动权。
为了缓解成本压力、丰富供应链选择，苹果已经持续向特朗普政府开展游说，希望能拿到许可，批量采购长鑫存储生产的国产内存芯片。
只是长鑫此前被美方纳入相关管制清单，这项采购申请能否获批还存在不小变数，一旦落地，将是国产 DRAM 打入全球头部终端品牌供应链的重要突破。
虽然在通用消费级、服务器标准 DRAM 赛道实现了快速突围，但面对当下 AI 产业最核心的高带宽存储 HBM，长鑫存储还存在明显短板，这也是国产存储追赶路上最难突破的环节。HBM 是 AI 大模型、高性能算力服务器的核心配套芯片，行业利润远高于普通 DRAM，订单常年供不应求，几乎被韩美厂商垄断。
从当前产能来看，长鑫 HBM 月产能仅有五千片左右，和三星、SK 海力士动辄数万片的量产规模差距悬殊。更关键的技术卡点集中在新一代 HBM38-hi 产品上，这款适配高端 AI 算力设备的存储产品，当下量产阶段始终难以攻克良率难题，生产损耗高、稳定供货能力不足，暂时只能完成少量样品送测，没办法大规模交付客户。
海外头部厂商早已实现多代 HBM 成熟量产，迭代到更高规格产品，完整打通堆叠、封装全链条工艺，良率稳定维持在高位；长鑫现阶段主力产出还以早期规格 HBM 产品为主，只能适配中低端算力场景，高端 AI 市场基本无法切入。
整体来看，长鑫存储已经在基础内存领域完成国产替代阶段性目标，产能规模持续冲击行业第一梯队，就连苹果这类国际大厂都主动抛出采购意向，足以证明通用 DRAM 产品的竞争力。
但 AI 时代核心的 HBM 赛道，产能、工艺良率两大难题依旧亟待突破，想要实现存储芯片全产品线全面赶超，后续还要持续投入研发、扩充产线，补齐高端算力存储这块关键短板。