与EUV相比,这一光刻技术更具发展潜力

在半导体产业发展史上,光刻技术的发展经历了多个阶段,接触/接近式光刻、光学投影光刻、分步(重复)投影光刻出现时间较早,集成电路生产主要采用扫描式光刻、浸没式扫描光刻、深紫外光刻(DUV)和极紫外光刻(EUV)工艺。

在大力发展本土半导体制造业的当下,中国大陆需要在光刻这一基础性制造领域取得突破,短时期内,要想造出EUV难度很大,但类似于直写光刻这样的技术和设备,设计和制造难度没那么高,又有广阔的应用市场空间,或许可以作为今后的重点研究对象。

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